- Hersteller:
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- Product Status:
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- Operating Temperature:
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- Package / Case:
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- Diode Type:
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- Capacitance @ Vr, F:
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- Power Dissipation (Max):
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14 Aufzeichnungen
Bild | Teil | Hersteller | Beschreibung | MOQ | Aktie | Aktion | |
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Toshiba Semiconductor and Storage | RF DIODE STANDAR... |
1 |
50,000
In-stock
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Toshiba Semiconductor and Storage | RF DIODE SCHOTTK... |
1 |
3,005
In-stock
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Toshiba Semiconductor and Storage | RF DIODE STANDAR... |
1 |
50,000
In-stock
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Microchip Technology | SI NOISE HERMETI... |
1 |
50,000
In-stock
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Microchip Technology | SI NOISE HERMETI... |
1 |
50,000
In-stock
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Rochester Electronics, LLC | SBD SERIES 35MA 10V |
1 |
195,000
In-stock
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Toshiba Semiconductor and Storage | RF DIODE STANDAR... |
1 |
528
In-stock
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Microchip Technology | SI NOISE HERMETI... |
1 |
50,000
In-stock
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Microchip Technology | SI NOISE NON HERM... |
1 |
50,000
In-stock
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Microchip Technology | SI NOISE NON HERM... |
1 |
50,000
In-stock
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Microchip Technology | GAAS GUNN EPI DOW... |
1 |
50,000
In-stock
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Microchip Technology | GAAS GUNN EPI DOW... |
1 |
50,000
In-stock
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Microchip Technology | GAAS GUNN EPI DOW... |
1 |
50,000
In-stock
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Microchip Technology | GAAS GUNN EPI DOW... |
1 |
50,000
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