NJG1812ME4-TE1

Herst.Teilenummer
NJG1812ME4-TE1
Hersteller
Nisshinbo Micro Devices Inc.
Paket/Fall
-
Datenblatt
Download
Beschreibung
HIGH POWERDPDT SWITCH GAAS MMIC
Aktie:
Auf Lager

Fordern Sie ein Angebot an (RFQ)

* Email:
* Teilname:
* Menge (Stück):
* Captcha:
loading...
Hersteller :
Nisshinbo Micro Devices Inc.
Produktkategorie :
HF-Schalter
Circuit :
DPDT
Features :
DC Blocked
Frequency Range :
3GHz
IIP3 :
-
Impedance :
50Ohm
Insertion Loss :
0.45dB
Isolation :
17dB
Operating Temperature :
-40°C ~ 105°C
P1dB :
-
Package / Case :
12-XFQFN Exposed Pad
Product Status :
Active
RF Type :
CDMA, GSM, LTE, UMTS
Supplier Device Package :
12-EQFN (2x2)
Test Frequency :
2.7GHz
Topology :
-
Voltage - Supply :
2.4V ~ 5V
Datenblätter
NJG1812ME4-TE1

Herstellerbezogene Produkte

Katalogbezogene Produkte