MURTA600120R

Herst.Teilenummer
MURTA600120R
Hersteller
GeneSiC Semiconductor
Paket/Fall
-
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Beschreibung
DIODE GEN 1.2KV 300A 3 TOWER
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Hersteller :
GeneSiC Semiconductor
Produktkategorie :
Dioden - Gleichrichter - Arrays
Current - Average Rectified (Io) (per Diode) :
300A
Current - Reverse Leakage @ Vr :
25 µA @ 1200 V
Diode Configuration :
1 Pair Common Anode
Diode Type :
Standard
Mounting Type :
Chassis Mount
Operating Temperature - Junction :
-55°C ~ 150°C
Package / Case :
Three Tower
Product Status :
Active
Reverse Recovery Time (trr) :
-
Speed :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package :
Three Tower
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) :
1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If :
2.6 V @ 300 A
Datenblätter
MURTA600120R

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