IGN1011L70

Herst.Teilenummer
IGN1011L70
Hersteller
Integra Technologies Inc.
Paket/Fall
-
Datenblatt
Download
Beschreibung
GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND
Aktie:
Auf Lager

Fordern Sie ein Angebot an (RFQ)

* Email:
* Teilname:
* Menge (Stück):
* Captcha:
loading...
Hersteller :
Integra Technologies Inc.
Produktkategorie :
Transistoren - FETs, MOSFETs - HF
Current - Test :
22 mA
Current Rating (Amps) :
-
Frequency :
1.03GHz ~ 1.09GHz
Gain :
22dB
Noise Figure :
-
Package / Case :
PL32A2
Power - Output :
80W
Product Status :
Active
Supplier Device Package :
PL32A2
Transistor Type :
GaN HEMT
Voltage - Rated :
120 V
Voltage - Test :
50 V
Datenblätter
IGN1011L70

Herstellerbezogene Produkte

  • Integra Technologies Inc.
    GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND
  • Integra Technologies Inc.
    GAN, RF POWER TRANSISTOR, X-BAND
  • Integra Technologies Inc.
    GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND
  • Integra Technologies Inc.
    GAN, RF POWER TRANSISTOR, X-BAND
  • Integra Technologies Inc.
    GAN, RF POWER TRANSISTOR, S-BAND

Katalogbezogene Produkte

0
0