FS50R12W2T4BOMA1

Herst.Teilenummer
FS50R12W2T4BOMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Paket/Fall
-
Datenblatt
Download
Beschreibung
IGBT MOD 1200V 83A 335W
Aktie:
Auf Lager

Fordern Sie ein Angebot an (RFQ)

* Email:
* Teilname:
* Menge (Stück):
* Captcha:
loading...
Hersteller :
Infineon Technologies
Produktkategorie :
Transistoren - IGBTs - Module
Configuration :
Full Bridge Inverter
Current - Collector (Ic) (Max) :
83 A
Current - Collector Cutoff (Max) :
1 mA
IGBT Type :
Trench Field Stop
Input :
Standard
Input Capacitance (Cies) @ Vce :
2.8 nF @ 25 V
Mounting Type :
Chassis Mount
NTC Thermistor :
Yes
Operating Temperature :
-40°C ~ 125°C
Package / Case :
Module
Power - Max :
335 W
Product Status :
Active
Supplier Device Package :
Module
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic :
2.15V @ 15V, 50A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
1200 V
Datenblätter
FS50R12W2T4BOMA1

Herstellerbezogene Produkte

Katalogbezogene Produkte