GC11N65F
- Herst.Teilenummer
- GC11N65F
- Hersteller
- Goford Semiconductor
- Paket/Fall
- -
- Datenblatt
- Download
- Beschreibung
- N650V,RD(MAX)<360M@10V,VTH2.5V~4
- Aktie:
- Auf Lager
Fordern Sie ein Angebot an (RFQ)
- * Email:
- * Teilname:
- * Menge (Stück):
- * Captcha:
-
- Hersteller :
- Goford Semiconductor
- Produktkategorie :
- Transistoren - FETs, MOSFETs - Single
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :
- -
- Drain to Source Voltage (Vdss) :
- -
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) :
- -
- FET Feature :
- -
- FET Type :
- -
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
- -
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
- -
- Mounting Type :
- -
- Operating Temperature :
- -
- Package / Case :
- -
- Power Dissipation (Max) :
- -
- Product Status :
- Active
- Rds On (Max) @ Id, Vgs :
- -
- Supplier Device Package :
- -
- Technology :
- -
- Vgs (Max) :
- -
- Vgs(th) (Max) @ Id :
- -
- Datenblätter
- GC11N65F