DDB6U75N16W1RBOMA1

Herst.Teilenummer
DDB6U75N16W1RBOMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Paket/Fall
-
Datenblatt
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Beschreibung
IGBT MOD 1200V 69A 335W
Aktie:
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Hersteller :
Infineon Technologies
Produktkategorie :
Transistoren - IGBTs - Module
Configuration :
Three Phase Inverter
Current - Collector (Ic) (Max) :
69 A
Current - Collector Cutoff (Max) :
1 mA
IGBT Type :
-
Input :
Standard
Input Capacitance (Cies) @ Vce :
2.8 nF @ 25 V
Mounting Type :
Chassis Mount
NTC Thermistor :
Yes
Operating Temperature :
-40°C ~ 150°C
Package / Case :
Module
Power - Max :
335 W
Product Status :
Active
Supplier Device Package :
Module
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic :
2.15V @ 15V, 50A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
1200 V
Datenblätter
DDB6U75N16W1RBOMA1

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